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DOS12N02
1个N沟道 耐压:20V 电流:12A
- 描述
- N管/20V/12A/10mΩ/(典型8.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS12N02
- 商品编号
- C42386217
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压 = 20 V，漏极电流 = 12 A，在栅源电压 = 4.5 V时，漏源导通电阻 < 10 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻。
- 封装散热性能良好。