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DON130N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:130A
- 描述
- N管/30V/130A/3mΩ/(典型2.3mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON130N03
- 商品编号
- C42386232
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 216W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.649nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 365pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 493pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道：VDS = 30 V，ID = 10 A，VGS = 10 V时，RDS(ON) < 13 mΩ
- P沟道：VDS = -30 V，ID = -12 A，VGS = -10 V时，RDS(ON) < 25 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能出色。