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DOS4614H
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 描述
- N+P管/40V/8A/22mΩ/(典型17mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS4614H
- 商品编号
- C42386226
- 商品封装
- SOP-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 40 V,ID = 8 A,在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 22 m Ω
- P沟道:VDS = -40 V,ID = -7.2 A,在 VGS = -10 V 时,RDS(ON) < 40 m Ω
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 出色的封装,散热性能良好。