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DON120N02
1个N沟道 耐压:20V 电流:120A
- 描述
- N管/20V/120A/4mΩ/(典型2.8mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON120N02
- 商品编号
- C42386229
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 455pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可应用于各种领域。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 6 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 36 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好