温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
100P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
- 描述
- MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-30，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.5/4.5，连续漏极电流ID(A):-100A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 100P03
- 商品编号
- C42372065
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.07nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代产品采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。
商品特性
- VDS（V）= 55 V
- ID = 47 A（VGS = 10 V）
- RDS（ON）< 22 mΩ（VGS = 10 V）