温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
3N10L
耐压:100V 电流:2.5A
- 描述
- MOSFET类型:N，漏源电压(Vdss) (V):100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1.1～2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):200/280，连续漏极电流ID(A):2.5A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 3N10L
- 商品编号
- C42372072
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
商品特性
-超低栅极电荷-提供环保器件-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术
相似推荐
其他推荐