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4N10L
耐压:100V 电流:4A
- 描述
- MOSFET类型:N，漏源电压(Vdss) (V):100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1～2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):120/156，连续漏极电流ID(A):4A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 4N10L
- 商品编号
- C42372073
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 156mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 655pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
WST3400B是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WST3400B符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步开关，适用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、视频图形阵列（VGA）等小功率开关应用
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关