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80N07
耐压:70V 电流:80A
- 描述
- MOSFET类型:N，漏源电压(Vdss) (V):70，阈值电压VGS:±20，Vth(V):2～4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.5/7，连续漏极电流ID(A):80A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 80N07
- 商品编号
- C42372068
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4872克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.723nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 207pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
WST3414A是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WST3414A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100% EAS保证
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 漏源击穿电压(Bvdss):70V
- 导通电阻(Rdson):5.5mΩ
- 漏极电流(ID):80A
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理