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90P03F
1个P沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-30，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.5/4.5，连续漏极电流ID(A):-90A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 90P03F
- 商品编号
- C42372066
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 695pF |
商品特性
- 100% 保证符合 EAS 标准
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 笔记本电脑电池充放电开关