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80N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
- 描述
- 1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- 80N06
- 商品编号
- C42186020
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44712克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
商品概述
SI2319 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。SI2319 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术