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SI2319
1个P沟道 耐压:40V 电流:4A
- 描述
- 1个P沟道 耐压:40V 电流:4A
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- SI2319
- 商品编号
- C42186046
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
SI2319是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。SI2319符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。漏源电压（VDSS）为 -40 V，漏极电流（ID）为 -4 A，导通电阻（RDS(ON)）为63 mΩ。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术