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SI2312

1个N沟道 耐压:20V 电流:9A

描述
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
商品型号
SI2312
商品编号
C42186021
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)865pF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)105pF

商品概述

采用高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON) 电压控制小信号开关 坚固可靠 具有高饱和电流能力 z沟道功率MOSFET 漏源电压V_DSS:20V 漏极电流I_D:6.0A 导通电阻RDS(ON):23mΩ

数据手册PDF