温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2323DS
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
- 描述
- 1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- SI2323DS
- 商品编号
- C42186045
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- -20V、-5.0A,VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 30mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有绿色环保器件可选
应用领域
-笔记本电脑-负载开关-电池保护-手持仪器