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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP3099L

N沟道 30V 4.1A

描述
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
商品型号
DMP3099L
商品编号
C42186057
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0308克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))65mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.5nC@10V
输入电容(Ciss)650pF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)105pF

商品特性

  • 低导通电阻RDS(ON),实现高效率
  • 低栅极电荷,实现高速开关
  • 高单脉冲雪崩能量,实现高可靠性
  • 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)和栅极电阻(RG)测试

应用领域

  • 直流-直流转换器和同步整流
  • 高频电路和电池管理系统(BMS)
  • 电机驱动和印刷电路板控制
  • 汽车电子和不间断电源(UPS)

数据手册PDF