1个N沟道 耐压:1kV 电流:10A
- 1+: ¥8.28 / 个
- 10+: ¥7.02 / 个
- 30+: ¥6.14 / 个 (折合1管184.2元)
- 90+: ¥5.36 / 个 (折合1管160.8元)
- 510+: ¥5.01 / 个 (折合1管150.3元)
- 990+: ¥4.85 / 个 (折合1管145.5元)
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¥8.28 / 个 |
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¥7.02 / 个 |
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¥5.36 / 个 (折合1管160.8元) |
510+: |
¥5.01 / 个 (折合1管150.3元) |
990+: |
¥4.85 / 个 (折合1管145.5元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 1kV | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
功率(Pd) | 186.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.37Ω@10V,4.5A;3.37Ω@10V,4.5A;3.37Ω@10V,4.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250μA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 43nC | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.15nF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 13pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |