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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS10N100FB

1个N沟道 耐压:1kV 电流:10A

描述
超高压MOS管
商品型号
MS10N100FB
商品编号
C3825156
商品封装
TO-3PB​
包装方式
管装
商品毛重
7.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))3.9Ω@10V,4.5A
耗散功率(Pd)186.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
栅极电荷量(Qg)56nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.83nF@25V
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-

商品特性

  • 极高的dv/dt能力
  • 经过100%雪崩测试
  • 栅极电荷最小化
  • 极低的固有电容
  • 极佳的制造重复性

应用领域

  • 开关应用

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