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NCE60ND08S
2个N沟道 耐压:60V 电流:8A
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- 描述
- NCE60ND08S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（Rds(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60ND08S
- 商品编号
- C3825175
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.5nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用TrueSemi先进的平面条状DMOS技术制造。该先进技术经过特别定制，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 8A
- R D S (ON) < 20mΩ(V G S = 10V)(典型值:15.6mΩ)
- R D S (ON) < 28mΩ(V G S = 4.5V)(典型值:20mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 低栅漏电荷,降低开关损耗
应用领域
- 功率开关应用
- 负载开关