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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS6N120FT

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:6A

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描述
超高压MOSFET
商品型号
MS6N120FT
商品编号
C3825158
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.82克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))7Ω@10V
耗散功率(Pd)160W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
栅极电荷量(Qg)85nC@10V
输入电容(Ciss)2.31nF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)330pF

商品概述

WSP08N15是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WSF05N10符合RoHS标准和绿色产品要求,通过100%的EAS测试以及全功能可靠性认证。

商品特性

~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供绿色环保器件

应用领域

  • 升压转换器的电源管理
  • 开关电源(SMPS)的同步整流器
  • LED背光

数据手册PDF