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MS12N120HGC0
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:12A
- 描述
- 超高压MOSFET
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS12N120HGC0
- 商品编号
- C3825160
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 750W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 234pF |
商品特性
- 采用CRM（CQ）先进的SkyMOS1技术
- 极低的导通电阻RDS（on）
- 出色的Qg x RDS（on）乘积（品质因数FOM）
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 电机控制与驱动-电池管理-不间断电源(UPS)