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MS12N100FC
1个N沟道 耐压:1000V 电流:12A
- 描述
- 超高压MOS管
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS12N100FC
- 商品编号
- C3825157
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 272W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.83nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
商品概述
ME75N03是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路，采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 5.2 mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 8mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- DC/DC转换器
- 负载开关
- LCD显示器逆变器