- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPT023N10NM5LF2ATMA1
N沟道 100V 243A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT023N10NM5LF2ATMA1
- 商品编号
- C41775448
- 商品封装
- PG-HSOF-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 243A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 适用于热插拔、电池保护和电子保险丝应用
- 适用于电流共享
- 低导通电阻RDS(on)
- 宽安全工作区SOA
- 紧密的VGS(th)离散度
- 低跨导gfs
- N沟道,正常电平
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品