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NCP5181DR2G
高压高端和低端驱动器
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- 描述
- NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCP5181DR2G
- 商品编号
- C435715
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.109克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.2A | |
| 拉电流(IOH) | 1.4A | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpLH | 100ns | |
| 传播延迟 tpHL | 100ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- 高电压范围：最高600 V
- dV/dt抗扰度 ±50 V/nsec
- 栅极驱动电源范围10 V至20 V
- 高低DRV输出
- 输出源/灌电流能力1.4 A / 2.2 A
- 兼容3.3 V和5 V输入逻辑
- 输入引脚支持高达VCC的摆幅
- 两个通道之间的匹配传播延迟
- 输出与输入同相
- 独立逻辑输入，适应所有拓扑结构
- 两个通道的欠压闭锁（UVLO）
- 引脚兼容IR2181(S)
- 这些是无铅器件
应用领域
- 高功率电源管理
- 半桥功率转换器
- 任何互补驱动转换器（不对称半桥、有源箝位）
- 全桥转换器
- 用于UPS系统的桥式逆变器