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SI7461DP-T1-E3
1个P沟道 耐压:60V 电流:14.4A
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- 描述
- 用于开关应用的MOSFET如今已能实现约1 mΩ的芯片导通电阻，且可承受85 A的电流。尽管这些芯片性能相较于几年前已有重大提升，但功率MOSFET封装技术跟上发展步伐也至关重要。显然，封装导致高性能芯片性能下降是不可取的
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7461DP-T1-E3
- 商品编号
- C435837
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.252克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V,14.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 121pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 采用低热阻PowerPAK封装，高度仅1.07 mm