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SI7850DP-T1-E3
1个N沟道 耐压:60V 电流:10.3A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7850DP-T1-E3
- 商品编号
- C435925
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,10.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 4.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET®功率MOSFET
- 新型低热阻PowerPAK®封装，高度仅1.07 mm
- 针对快速开关进行PWM优化
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 24 V DC/DC应用的初级侧开关
- 次级同步整流器
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