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CMD603B
N+P沟道 60V 13A/-60V -13A
- 描述
- MOS管，TO-252-4L，N+P沟道，耐压：60V/-60V，电流：13A/-13A，10V内阻：63mΩ/105mΩ，4.5V内阻：76mΩ/130mΩ，功率：27W，CISS(Typ)：150PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD603B
- 商品编号
- C41433022
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3745克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
CMD603B采用先进的沟槽技术MOSFET,以提供出色的RDS(ON)。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
- 双N沟道和P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源管理-负载开关-DC/DC转换器