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DMT3006LPS-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT3006LPS-13

1个N沟道 耐压:30V 电流:65A

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描述
该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT3006LPS-13
商品编号
C434457
商品封装
PowerDI-5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.26克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)65A
导通电阻(RDS(on))4.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)42W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)16.7nC@10V
输入电容(Ciss)1.155nF
反向传输电容(Crss)72pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)456pF

商品特性

  • 栅源电压 (VGS) = -4.5V 时,漏源导通电阻 (RDS(on)) 低
  • -3.3V 逻辑电平控制
  • P 沟道 SOT23 封装
  • HMB 静电放电保护 2KV
  • 无铅,符合 RoHS 标准

应用领域

  • 负载开关
  • 开关电路
  • 高速线路驱动器
  • 电源管理功能

数据手册PDF