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DMTH6004SK3-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6004SK3-13
- 商品编号
- C434456
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.9W；180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.556nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 额定温度达 +175℃—— 适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关 —— 确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON)—— 最小化功率损耗
- 低 QG —— 最小化开关损耗
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 另有符合汽车应用标准的产品型号(DMTH6004SK3Q),其数据手册单独提供
应用领域
- 发动机管理系统
- 车身控制电子系统
- DC-DC转换器
- 电机控制
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