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DMTH6004SK3-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6004SK3-13
- 商品编号
- C434456
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V,90A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.9W；180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.556nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷（典型栅极电荷Qg = 10.2 nC）
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器
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