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AP40P100K
先进沟槽技术MOSFET
- 描述
- 特性：-100V, -34A。RDS(ON) < 37 mΩ @ VGS = -10V，典型值为31 mΩ。RDS(ON) < 48 mΩ @ VGS = -4.5V，典型值为37 mΩ。先进的沟槽技术。低导通电阻。低栅极电荷。应用：电池管理。电机控制和驱动
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- AP40P100K
- 商品编号
- C41374778
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4856克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.805nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 178pF |
商品特性
- -100V，-34A
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) < 37 mΩ，典型值：31 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 48 mΩ，典型值：37 mΩ
- 先进沟槽技术
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
应用领域
- 电池管理
- 电机控制与驱动
- 不间断电源（UPS）
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