温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APG250N01
100V,40A MOSFET
- 描述
- 特性：100V, 40A。 RDS(ON) < 25 mΩ @ VGS = 10 V (典型值: 18 mΩ)。 RDS(ON) < 38 mΩ @ VGS = 4.5 V (典型值: 25 mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- APG250N01
- 商品编号
- C41374780
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.678克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 822pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交6单