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APG180N10K
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
- 描述
- 特性：100V, 50A。 RDS(ON) = 15mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 20A。 低RDS(on)和FOM。 极低的开关损耗。 出色的稳定性和一致性。 100% UIS测试，100% △VDS测试。应用：高频开关。 同步整流
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- APG180N10K
- 商品编号
- C41374779
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 196pF |
商品特性
- 100V、50A
- RDS(ON) = 15mΩ（典型值），VGS = 10V、ID = 20A
- 低RDS(on)和品质因数
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 100%进行UIS测试和100%进行△VDS测试
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
- 高频开关
- 同步整流
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