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KCT2213A
N沟道MOSFET
- 描述
- 特性：SGT MOSFET技术。 高耐用性。 导通电阻 RDS(ON)=2.9mΩ（典型值）@ VGS = 10V。 低栅极电荷（典型值151nC）。 改善的dv/dt能力。 100%雪崩测试。应用：同步整流。 电机控制
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KCT2213A
- 商品编号
- C41369551
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.102克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 135V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 403W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V、DFN33/56封装条件下，RDS(ON)=2.6 mΩ（典型值）
- 在VGS = 10 V、TO - 252封装条件下，RDS(ON)=3.2 mΩ（典型值）
- 极低导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理