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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PJM07P30SC

1个P沟道 耐压:30V 电流:7A

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私有库下单最高享92折
描述
P沟道,VDS=-30V ID=-7A ,PD:1.3W RDS(ON)<34mΩ@Vgs=-10V
品牌名称
PJSEMI(平晶微)
商品型号
PJM07P30SC
商品编号
C41348042
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.0296克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))34mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC
输入电容(Ciss)982pF
反向传输电容(Crss)109pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)135pF

商品特性

  • 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
  • RDS(on)< 34 m Ω(在 VGS=-10 V 时)
  • SOT-23-3 封装
  • 标记代码:KP

应用领域

-负载开关-电池保护-电源管理

数据手册PDF