温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK3635
N沟道 耐压:200V 电流:6A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- 2SK3635
- 商品编号
- C41348069
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.5315克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 46.9pF |
商品特性
- VDS = -30V，ID = -50A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON)为8.0mΩ
- 典型值：当VGS = -4.5V时，RDS(ON)为18mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换