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PJM10H06NSC
1个N沟道 耐压:100V 电流:6A
- 描述
- N沟道，VDS=100V ID=6A ,PD:1.2W RDS(ON)<140mΩ@Vgs=10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM10H06NSC
- 商品编号
- C41348043
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0282克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(on)
- 完整表征雪崩电压和电流
- 在VGS = 10 V时,RDS(on) < 140 mΩ
应用领域
- 功率开关应用
- 不间断电源