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PJM10H10NSC
1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
描述
N沟道，VDS=100V ID=10A ,PD:1.2W RDS(ON)<110mΩ@Vgs=10V
- 品牌名称PJSEMI(平晶微)
商品型号
PJM10H10NSC商品编号
C41348044商品封装
SOT-23-3包装方式
编带
商品毛重
0.0286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@10V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 610pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 25pF@25V |
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