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PJM3400JNSC

1个N沟道 耐压:30V 电流:5A

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描述
N沟道,VDS=30V ID=5A ,PD:1.1W RDS(ON)<35mΩ@Vgs=10V
品牌名称
PJSEMI(平晶微)
商品型号
PJM3400JNSC
商品编号
C41348046
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.1W
阈值电压(Vgs(th))1.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7nC@15V
输入电容(Ciss)622pF
反向传输电容(Crss)15.4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)55.5pF

商品概述

CMSC8447A采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

商品特性

  • 先进沟槽技术
  • 符合RoHS和REACH标准
  • 无卤素和锑
  • 湿度敏感度等级3

应用领域

  • 负载开关
  • PWM应用

数据手册PDF