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SI2310
1个N沟道 耐压:60V 电流:3.8A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 高功率和电流处理能力
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- SI2310
- 商品编号
- C431497
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 362pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 高功率和电流处理能力