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BM3415E
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.8A
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- 描述
- 特性：低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。 3.3V逻辑电平控制。 P沟道SOT23封装。 HMB ESD保护2KV。 无铅，符合RoHS标准。应用：负载开关。 开关电路
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BM3415E
- 商品编号
- C431504
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 675pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 在 VGS = -4.5V 时,RDS(on) 低
- -3.3V 逻辑电平控制
- P 沟道 SOT23 封装
- HMB 静电放电保护 2KV
- 无铅,符合 RoHS 标准
应用领域
- 负载开关
- 开关电路
- 高速线路驱动器
- 电源管理功能