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BSS123
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.2A
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- 描述
- 特性：低RDS(on)，VGS = 10V。 5V逻辑电平控制。 N沟道SOT23封装。 HMB ESD保护。 无铅，符合RoHS标准。应用：继电器驱动器。 开关
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BSS123
- 商品编号
- C431506
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V,0.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 740pC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 31.6pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@50V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 10V时具有低导通电阻（RDS(on)）
- 5V逻辑电平控制
- N沟道SOT23封装
- HMB静电放电保护
- 无铅，符合RoHS标准
应用领域
- 继电器驱动器
- 通断开关
- 高速线路驱动器
- 便携式设备和电池等的电源管理
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