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SI2301S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI2301S

1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A

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描述
特性:低导通电阻(RDS(ON)),在VGS = -4.5V和-3.3V时。 3.3V逻辑电平控制。 P沟道SOT23封装。 无铅,符合RoHS标准。应用:高端负载开关。 开关电路
商品型号
SI2301S
商品编号
C431492
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on))140mΩ@3.3V,1A
耗散功率(Pd)1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))400mV
栅极电荷量(Qg)5.3nC@10V
输入电容(Ciss)177pF@10V
反向传输电容(Crss)25pF@10V
工作温度-

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
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