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PMV20XNEA
20V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- PMV20XNEA采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能够在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- PMV20XNEA
- 商品编号
- C3647036
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
这款MOSFET旨在替代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和并联肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。FDP6670S采用仙童半导体的单片SyncFET技术，集成了一个肖特基二极管。FDP6670S/FDB6670S作为同步整流器中的低端开关，其性能与FDP6670A/FDB6670A与肖特基二极管并联时的性能无异。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 12.5 mΩ
- 31 A、30 V。栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 8.5 mΩ
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷（典型值23 nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和快速开关
- 高功率和高电流处理能力