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IRLML6406
20V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- IRLML6406采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- IRLML6406
- 商品编号
- C3647037
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMG2302UQ采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 20V，漏极电流 = 6.8A
- 栅源电压 = 4.5V时，漏源导通电阻 < 21mΩ
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快充