温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG2302UQ
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.8A
- 描述
- DMG2302UQ采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- DMG2302UQ
- 商品编号
- C3647039
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融合了最新的技术进步，应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh产品系列。意法半导体（STMicroelectronics）凭借其新的M6技术在MDmesh器件的上一代产品基础上进行改进，该技术将出色的单位面积导通态漏源电阻（RDS(on)）改善与高效的开关性能相结合，同时为用户带来友好体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- V DS = 20V,I D = 6.8A
- R DS (ON) < 21mΩ,V GS = 4.5V
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快充