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DMP2123LQ
-20V P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，可在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- DMP2123LQ
- 商品编号
- C3647032
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SQ2301ES采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -2.3A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 150mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源