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BSH108,215
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.9A
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- 描述
- 采用TrenchMOS™1技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管。产品供货情况：采用SOT23封装的BSH108。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSH108,215
- 商品编号
- C426798
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
采用TrenchMOS™1技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管。
商品特性
-TrenchMOSTM技术-开关速度极快-逻辑电平兼容-超小型表面贴装封装
应用领域
-电池管理-高速开关-低功耗DC-DC转换器