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PMGD780SN,115
2个N沟道 耐压:60V 电流:0.49A
- 描述
- 采用TrenchMOS技术的双N沟道增强型场效应晶体管，采用小型SOT363（SC - 88）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMGD780SN,115
- 商品编号
- C426871
- 商品封装
- SOT-363(SC-88)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 490mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 920mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 410mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.05nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术的双N沟道增强型场效应晶体管，封装为小型SOT363（SC - 88）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 表面贴装封装
- 标准电平阈值电压
- 低导通电阻
- 占位面积比SOT23小40%
- 快速开关
- 双器件
应用领域
- 驱动电路
- 便携式设备中的开关