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BUK9675-100A,118
1个N沟道 耐压:100V 电流:23A
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- 描述
- 逻辑电平 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 TrenchMOS 技术封装在塑料外壳中。该产品已设计并通过相应的 AEC 标准认证，适用于汽车关键应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9675-100A,118
- 商品编号
- C427520
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 98W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.704nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 129pF |
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购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
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