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BST82,215
1个N沟道 耐压:100V 电流:190mA
- 描述
- 采用TrenchMOS™1技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管。产品供应情况：SOT23封装的BST82。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BST82,215
- 商品编号
- C426800
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管。
商品特性
- TrenchMOS技术
- 开关速度极快
- 逻辑电平兼容
- 超小型表面贴装封装
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 逻辑电平转换器