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BSH205G2R
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSH205G2R
- 商品编号
- C426799
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 890mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 418pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 100 个)个
起订量：100 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交20单