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RT9610CGQW
笔记本电脑用高压同步整流降压MOSFET驱动器
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- 描述
- RT9610C是一款高频双MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个功率N沟道MOSFET而设计。它特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。该驱动器与立锜科技（Richtek）的多相降压PWM控制器系列相结合，可为先进的微处理器提供完整的核心电压调节解决方案
- 品牌名称
- RICHTEK(立锜)
- 商品型号
- RT9610CGQW
- 商品编号
- C426477
- 商品封装
- WDFN-8-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 8ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | 35ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 3.5V~4.1V | |
| 输入低电平(VIL) | 700mV~1.3V | |
| 静态电流(Iq) | 80uA |
商品概述
RT9610C是一款高频双MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个功率N-MOSFET而设计。它特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。该驱动器与立锜科技的多相降压PWM控制器系列相结合，可为先进微处理器提供完整的核心电压调节器解决方案。 该驱动器能够以快速的上升/下降时间和传播延迟驱动3nF负载。该器件仅使用一个外部电容器即可实现上管栅极的自举。这降低了实现复杂度，并允许使用高性能、高性价比的N-MOSFET。集成了自适应直通保护功能，以防止两个MOSFET同时导通。 RT9610C采用WDFN-8L 2x2封装。
商品特性
- 驱动两个N-MOSFET
- 自适应直通保护
- 导通电阻0.5Ω，灌电流能力4A
- 支持高开关频率
- 用于功率级关断的三态PWM输入
- 输出禁用功能
- 集成自举开关
- 低偏置电源电流
- 集成VCC上电复位（POR）功能
应用领域
- 英特尔/AMD移动微处理器的核心电压电源
- 高频薄型DC/DC转换器
- 大电流低输出电压DC/DC转换器
- 高输入电压DC/DC转换器