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NCP81253MNTBG
5V MOSFET驱动器
- 描述
- NCP81253 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采用小型 2 mm x 2 mm 封装，经优化适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。可通过三态 PWM 和 EN 输入将驱动器输出置于高阻抗状态。NCP81253 带有集成的升压二极管，以最大程度减少外部部件的数量。电源电压较低时，VCC UVLO 功能可保证低输出。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCP81253MNTBG
- 商品编号
- C424480
- 商品封装
- DFN-8-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 800mA | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 16ns | |
| 下降时间(tf) | 11ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 3.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 700mV |
商品概述
NCP81253是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，采用2 mm x 2 mm小型封装，针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。通过三态PWM和EN输入，驱动器输出可置于高阻抗状态。NCP81253集成了一个升压二极管，以减少外部元件数量。VCC欠压锁定（UVLO）功能确保在电源电压较低时输出为低电平。
商品特性
- 节省空间的2 mm x 2 mm DFN8热增强型封装
- VCC范围为4.5 V至5.5 V
- 内部自举二极管
- 5 V三级PWM输入
- 通过EN中间状态实现二极管制动功能
- 自适应抗交叉导通电路，防止FET导通和关断期间出现交叉导通
- 输出禁用控制，通过使能引脚关闭两个MOSFET
- VCC欠压锁定
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑和台式机系统的电源解决方案